Advertisement
Radim Čtvrtlík z firmy onsemi vám ukáže, proč je karbid křemíku (SiC) materiálem, který postupně nahrazuje křemík v nejpokročilejší elektronice. Dozvíte se všechno o jeho unikátních fyzikálních vlastnostech, o tom, jak se vyrábí, jaké jsou jeho výhody i využití pro špičkové průmyslové aplikace.📅 KDY: 23. dubna 2025 od 16 hodin (půl hodiny před začátkem bude k dispozici drobné občerstvení)
📍 KDE: FJFI ČVUT, Břehová 7, Praha 1, místnost B-103 v 1. patře
Anotace: Karbid křemíku (SiC) je typickým zástupcem materiálů s širokým zakázaným pásem, jehož výjimečné vlastnosti—kombinující vysokou tepelnou vodivost, radiační a chemickou odolnost spolu se specifickými elektrickými charakteristikami—z něj činí ideální materiál pro náročné aplikace ve výkonové elektronice. Cílem přednášky je shrnout základní strukturní a fyzikální charakteristiky SiC, porovnat jej s křemíkem a představit technologie používané při výrobě součástek na bázi SiC.
Velmi stručný životopis: Radim Čtvrtlík je členem R&D týmu ve společnosti onsemi - ON Semiconductor Czech Republic, kde se specializuje na vývoj technologie epitaxiálního růstu vrstev karbidu křemíku (SiC) metodou CVD a jejich charakterizaci. Je absolventem Univerzity Palackého v Olomouci, kde získal diplom z aplikované fyziky a metrologie a následně doktorát z oblasti depozice a charakterizace tenkých vrstev. Svůj multidisciplinární výzkum prováděl ve Fyzikálním ústavu Akademie věd ČR v Praze a na Virginia Polytechnic Institute and State University (VA, USA). Také působil jako odborný asistent na Univerzitě Palackého.
Advertisement
Event Venue & Nearby Stays
Břehová 7, 115 19 Prague, Czech Republic, Břehová 78/7, 110 00 Praha, Česko,Prague, Czech Republic
